Articolo: substrati in ceramica Aln
Materiale: Aln
Dimensioni: 120 mm x 120 mm, spessore maggiore o uguale a 0,1 mm
Forma: quadrato e personalizzato
Processo: pressione a secco o...
Substrato di nitruro di alluminio
Il nitruro di alluminio (ALN) è un materiale ceramico avanzato apprezzato per la sua eccezionale conducibilità termica e le proprietà di isolamento elettrico . con caratteristiche di prestazione tra allumina e beryllia, Aln è diventato un materiale critico per l'elettronica ad alta potenza e la esigente applicazioni di gestione termica .
Proprietà chiave dei substrati di nitruro di alluminio
| Proprietà | Valore/valutazione | Significato |
|---|---|---|
| Conducibilità termica | 170-220 W/m·K | Superior to allumina (20-30 w/m · k) |
| Resistività elettrica | >10¹⁴ ω · cm | Ottimo isolante |
| Coefficiente di espansione termica | 4,5 ppm/ grado | Corrisponde al silicio (4,2 ppm/ gradi) |
| Resistenza dielettrica | 15-20 kv/mm | Resistenza ad alta tensione |
| Forza di flessione | 300-400 MPA | Buona durata meccanica |
| Temperatura massima di servizio | >1, 000 grado | Stabilità ad alta temperatura |
Vantaggi chiave di ALN
✓ Gestione termica superiore (5-10 x migliore di allumina)
✓ Abbinamento CTE perfetto per semiconduttori al silicio/sic
✓ Prestazioni affidabili ad alta potenza in ambienti difficili
✓ Alternativa per l'ambiente sicuro a Beryllia (BEO)
✓ Eccellenti caratteristiche ad alta frequenza per applicazioni RF
Applicazioni di substrati di nitruro di alluminio (ALN)
| Settore industriale | Applicazioni chiave | Esempi specifici |
|---|---|---|
| Elettronica e dispositivi di alimentazione | Imballaggio elettronico di alimentazione Substrati a LED Componenti RF/Microonde Gestione termica laser |
IGBTS, MOSFET LED ad alta potenza/UV Componenti 5G Dissipatori di calore del diodo |
| Automotive e aerospaziale | Sistemi di veicoli elettrici Telecomunicazioni Applicazioni spaziali |
Moduli di potenza Stazioni base 5G Sistemi di comunicazione satellitare |
| Industriale ed energia | Produzione di semiconduttori Tecnologia dei sensori Sistemi energetici |
Apparecchiatura di elaborazione del wafer Sensori ad alto contenuto di tensione Sistemi di energia solare/eolica |
Processo di produzione di substrati ALN
| Fase di processo | Metodi e parametri | Dettagli tecnici |
|---|---|---|
| 1. Sintesi di polvere | Nitridazione diretta Riduzione carbotermica |
Al + n₂ @ 800-1200 grado Al₂o₃ + c + n₂ → 2aln + 3 co |
| 2. Metodi di formazione | Casting a nastro Pressatura a secco Pressatura isostatica |
0.25-1 spessore mm Forme semplici Geometrie complesse |
| 3. sintering | Intervallo di temperatura Sintering Aids Atmosfera |
1700-1900 grado Y₂o₃/cao (3-5%) N₂/Riduzione del gas |
| 4. post-elaborazione | Lavorazione laser Trattamento superficiale Finitura |
Taglio di precisione TI/PD/Au Metallizzazione RA <0,1μm polacco |
Proprietà comparative dei substrati ceramici
| Materiale | Conducibilità termica (W/M · K) | CTE (ppm/ gradi) | Fattore di costo | Vantaggio chiave |
|---|---|---|---|---|
| Aln | 170-220 | 4.5 | Alto | Migliori prestazioni termiche non tossiche |
| Al₂o₃ | 20-30 | 8.0 | Basso | Standard economico |
| Beo | 250-300 | 7.5 | Molto alto | Più alta conducibilità (tossico) |
| Si₃n₄ | 20-30 | 3.2 | Medio | Migliore resistenza meccanica |
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